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2025年北京國際半導體展覽會 即將開幕

作者:張涵 來源: 2025-06-16 我要評論( )

2025年北京國際半導體展覽會(IC CHINA)時間:2025年11月23-25日地點:國家會議中心聯(lián)系人:張涵 主任  手 機:18538304525微

  
2025年北京國際半導體展覽會(IC CHINA)
 
時間:2025年11月23-25日
 
地點:國家會議中心
 
聯(lián)系人:張涵 主任  
 
手 機:18538304525
 
微信號:18538304525
 
 
北京國際半導體展覽會(IC CHINA)創(chuàng)辦于2003年,成功舉辦二十一屆,是半導體行業(yè)例會;(IC CHINA)見證了我國半導體行業(yè)水平的提高、促進了國內(nèi)外半導體行業(yè)技術(shù)交流與融合發(fā)展、助推了國內(nèi)外半導體技術(shù)設(shè)備市場的繁榮。是我國半導體工業(yè)應(yīng)用行業(yè)盛會,一年一度集中展示新產(chǎn)品和新技術(shù)的重要平臺和同世界半導體技術(shù)設(shè)備界交流的重要窗口;已經(jīng)被國內(nèi)外半導體技術(shù)設(shè)備制造商及相關(guān)服務(wù)商視為國際盛宴。
 
        中國智能制造業(yè)的崛起和全球半導體電子產(chǎn)業(yè)從垂直結(jié)構(gòu)向水平結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變、價值鏈分工的日益細化,中國正在成為全球半導體制造的主要生產(chǎn)基地之一,并由此促進了中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速成長。為進一步提升半導體行業(yè)發(fā)展,充分展示半導體行業(yè)的前沿裝備技術(shù),積極推動半導體業(yè)界的交流互動,強化半導體行業(yè)的交流意識、合作意識,實現(xiàn)相互促進、共同發(fā)展。 
 
       2025第二十二屆北京國際半導體展覽會(IC CHINA)是國家級、國際化、專業(yè)化的行業(yè)盛會,組委會努力全方位打造展會宣傳渠道,將高效利用傳統(tǒng)電視媒體、報刊、雜志、網(wǎng)絡(luò)媒體、微信、微博等新興自媒體,不斷引爆企業(yè)參展熱情。展會官方微信平臺現(xiàn)在已有龐大專業(yè)粉絲,形成互動、及時分享展會及行業(yè)信息,擴大展會的宣傳及影響力度與深度。
 
       本屆展會繼續(xù)加大宣傳和推廣力度,擴大海外招展范圍,不斷提高展會國際化水平;組委會也將重點加強半導體設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)觀眾的組織力度,為中國半導體設(shè)備企業(yè)走出國門搭建平臺。
 
        2025第二十二屆北京國際半導體展覽會(IC CHINA)將于2025年11月23-25日在國家會議中心中心隆重召開;為半導體行業(yè)搭建全方位展示與交流平臺。
 
 
展出范圍:
 
芯片及芯片設(shè)計
IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計、EDA、通信芯片、存儲芯片、CPU芯片、傳感器芯片、模擬芯片、數(shù)字芯片、數(shù)字信號處理芯片、電源管理及功率芯片、數(shù)字多媒體芯片、射頻芯片、驅(qū)動芯片等;
 
AI算力
AI芯片、服務(wù)器、交換器、電源、液冷溫控等;
 
半導體設(shè)備
退火爐、刻蝕機、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、光刻機、涂膠顯影機、濕法處理設(shè)備、晶圓檢測等制造設(shè)備;劃片機、引線鍵合機、烘烤爐、焊線機、貼片機、固晶機、研磨機等設(shè)備;失效分析儀器、功能測試系統(tǒng)、探測設(shè)備、顯微鏡、試驗箱等檢查和測試設(shè)備;組裝設(shè)備、處理設(shè)備、設(shè)施、污染控制設(shè)備、清洗設(shè)備、激光設(shè)備等;
 
半導體材料
硅片及硅基材料、化合物半導體、拋光墊、掩膜版、濺射靶材、拋光液、刻蝕溶液、陶瓷封裝材料、鍵合絲、引線框架、封裝基板、光刻膠、薄膜沉積材料、特種氣體、超純水、塑封材料、高性能塑料、晶圓/基底材料等;
 
先進封裝
倒裝芯片封裝、晶圓級封裝、2.5D封裝、3D封裝、凸塊封裝、扇出型晶圓級封裝等設(shè)計、材料、測試、設(shè)備;
 
半導體核心零部件
機器視覺、傳感器、密封圈、精密軸承、金屬零部件、Valve閥、硅/SiC件、Robots、石英件、過濾器、射頻電源、陶瓷件、ESC靜電吸盤、壓力Gauge、泵、MFC流量計、步進馬達、運動控制、伺服電機、直線模組、無塵拖鏈、封裝模具、制冷設(shè)備、感應(yīng)加熱器等;
 
寬禁帶半導體及功率器件
第三代半導體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、石墨及碳材料、立方氮化硼(C-BN);第四代半導體氧化鎵(Ga2O3)、金剛石、氮化鋁(AlN);晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測器、紫外)、電力電子器件(二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)、設(shè)備及配套等;
 
 
詳細資料請聯(lián)系:
 
聯(lián)系人:張涵 主任  
 
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